功放推动管IRF540坏了IRF640可以替换吗?
厂效应管，4A，600V，可以用SO813 （FQPF）6N60替换。
IRF840NPBF的Id电流小8A，承受的冲击电流小30A，Vds电压在500V（这个相对较高），测试时的功率125W，控制电压±20V（导通电压2V到4V），开关频率相对低点。网页链接 总的来说，840适合做高电压的开关管，540适合做电流高的开关管。但是两个管子使用时必须注意散热。
是场效应管，4A，600V，可以用SO813 （FQPF）6N60替换。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
IRF530和IRF540能通用吗???区别是什么???
不能通用。区别：性质不同：IRF虚拟化技术的英文简称，是当前企业IT技术领域的关注焦点。irf540n的生产厂家是SANYO 、IR、VISHAY，封装类型为TO-220AB。特点不同：irf540n IRF在堆叠之前要先了解堆叠设备的规格，一个堆叠最多支持多少个设备，或者最多支持多少个端口。
常见的有这些2N7000、2N700IRF510A、IRF520A、IRF530A、IRF540A、IRF610A、IRF620A、、RF630A、IRF634A、IRF640A、IRF644A、IRF650、IRF654A、IRF720A、IRF730A、IRF740A、IRF750A、IRF820A、IRF830A。MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种。
MOS场效应管分J型，增强型，耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。结型场效应管在栅极与沟道之间是反偏的pn结形成的门极电压控制。
KA3525制作逆变器,接100W灯泡可以亮,但是MOS管540发热厉害
变压器局部短路、变压器容量太小达到了磁饱和等都会加大开关管的负荷。