峨嵋半导体材料厂的改革成就
年，成功试制大直径区熔硅，5月接受罗马尼亚任务，7月部分职工调至陕西华山厂，厂名更改为峨嵋半导体材料厂。1975年，拉制出大直径硅单晶，达到国内先进水平，12月研发出InAs单晶。1978年，国务院副总理方毅视察，1979年，国内首次制备耿氏器件材料，12月用于国防工程。
当前开发得最快的一种太阳电池，它的构成和生产工艺已定型，产品已广泛用于宇宙空间和地面设施。这种太阳电池以高纯的单晶硅棒为原料，纯度要求9999%。为了降低生产成本，现在地面应用的太阳电池等采用太阳能级的单晶硅棒，材料性能指标有所放宽。
峨嵋半导体材料厂作为主要起草单位，承担了这项标准的编写工作。王炎和蒋蓉两位专业人士在标准的制定过程中起到了关键作用。值得注意的是，GB/T 10117—1988标准在其历史版本中曾作为基础，而本标准的发布标志着对原有标准的更新和完善。
乐山。是我国首家拥有改良西门子法多晶硅生产技术的企业，国内多晶硅领域的顶尖人才均出于此。1972年更名为峨嵋半导体材料厂。
装置和职能管理部门内迁四川峨眉县。定名：“冶金工业部北京有色金属研究院第一研究所”，代号“739”。后定名为峨眉半导体材料研究所。739是我国第一家集半导体材料科研、试制、生产相结合的大型企业，是有色工业重点骨干企业，是国家242所重点科研院所之一，每年承担多项国家及军工重点科研专题项目。
