峨嵋半导体材料厂的改革成就
年，成功试制大直径区熔硅，5月接受罗马尼亚任务，7月部分职工调至陕西华山厂，厂名更改为峨嵋半导体材料厂。1975年，拉制出大直径硅单晶，达到国内先进水平，12月研发出InAs单晶。1978年，国务院副总理方毅视察，1979年，国内首次制备耿氏器件材料，12月用于国防工程。
当前开发得最快的一种太阳电池，它的构成和生产工艺已定型，产品已广泛用于宇宙空间和地面设施。这种太阳电池以高纯的单晶硅棒为原料，纯度要求9999%。为了降低生产成本，现在地面应用的太阳电池等采用太阳能级的单晶硅棒，材料性能指标有所放宽。