芯片漏电点定位及分析(EMMI/OBIRCH,显微光热分布,FIB-SEM)
1、芯片漏电点定位及分析技术，包括EMMI、OBIRCH、显微光热分布测试系统和FIB-SEM，是半导体行业确保产品质量的关键工具。EMMI利用高增益相机检测失效器件发出的光子，通过对比电压下和无电压下的信号图，定位发光点，揭示故障点。OBIRCH借助激光扫描，通过金属线电阻和电流变化的响应，快速定位LED芯片内部的缺陷。
2、通过EMMI定位漏电点，对于漏电流较小的，使用分辨率更高的OBIRCH定位。当EMMI/OBIRCH均不能定位时，利用显微光热分布测试系统测试光分布和热分布，异常位置为漏电点。最后，通过FIB对漏电点精确切片，使用SEM表征测试分析原因。案例分析 客户送测红光LED死灯样品，经电性测试确认为芯片漏电。
3、EMMI和OBIRCH二合一系统TIVA 漏电定位手段包括三种方式：侦测光子（EMMI）、激光刺激侦测阻抗变化（TIVA&VBA）和侦测热（Thermal）。聚焦离子束FIB 电子光学系统，如NICol非浸没式超高分辨率场发射扫描镜筒，配备高亮度肖特基场发射电子抢，用于提供稳定的高分辨率分析电流。
4、EMMI微光显微镜/OBIRCH镭射光束诱发阻抗值变化测试/LC 液晶热点侦测（这三者属于常用漏电流路径分析手段，寻找发热点，LC要借助探针台，示波器）5 FIB做一些电路修改。
《自动武器理论与知识科普(1)子弹的基本分类》
穿甲燃烧弹——黑色的尖锐，穿透装甲并持续燃烧，极具威胁。 瞬爆弹（空中防御）——白色闪烁，专为对空射击设计，守护领空安全。 空头弹（狩猎之选）——头部硕大，一击致命，狩猎者必备。 达姆弹（国际禁用）——特殊设计的道德争议，国际战争中严禁使用。
方法如下：可以泡在食醋里一段时间，然后用干净的毛巾用力擦拭干净，抹上一点点植物油，就可以光亮如新了。子弹壳是子弹所发射后，剩余的部分，自动武器的弹壳会在发射后自动弹出枪膛。子弹壳材料 过去子弹壳都是用黄铜制造。目前大多数采用钢质合金材料，有些小型枪械如手枪类仍用铜。
美国AAI公司5056次口径箭形弹，侵彻性能和对软目标杀伤力较普通弹好。按战术用途及作用效果的不同分类：（1）单功能枪弹 普通弹：用于杀伤人员等生动目标。是步兵自动武器的基本弹种，其消耗量也最大。双弹头弹：用于提高命中概率。
杨朔 《征尘》：“两辆满载军火的大车后跟随着一小队辎重兵，每人挑着一担子弹，那么重，扁担被压得微微弯曲著。” 设计原理 无论是什么样式和形状的子弹，它都是由弹丸，药筒（弹壳），发射药和火帽（底火）四个部分构成的。
大口径子弹的动能大，装药多，装药和外形差不多的情况下，威力就大，而且因为自身质量大，改变运动路径的代价大，表现为受风力影响小，同样构型穿破甲能力就强。子弹口径小了，短距离射击时命中率反而会好，因为距离短受外界影响小，装药少后坐力小，所以反而命中高。
枪支、子弹的分类及构造 枪支的分类与构造 （一）枪支的分类 枪是指口径在20毫米以下，并利用火药燃烧后产生的气体压力发射弹丸的轻型射击武器。 按照枪管的内壁构造分类 （1）滑膛枪：滑膛枪枪管的内壁无膛线（来复线）。这种枪支射程近，命中率低。如一些土造枪支、猎枪等。
白话科普芯片漏电定位方法
1、OBIRCH与TIVA 如上图，器件漏电回路中，R1为漏电点阻抗，I1为回路电流，V为回路电压。OBIRCH方法，向回路施加电压V，激光扫描芯片表面，监测电流I1变化。TIVA方法，向回路施加微小电流I1，激光扫描表面，监测电压V变化。两者均基于阻抗变化检测。
OBIRCH的工作原理
1、OBIRCH工作原理基于激光束在IC表面扫描。激光能量部分转化为热量，导致被扫描区域温度变化。若金属互联存在缺陷或空洞，这些区域附近热量传导异常。热量变化引起金属电阻值变化ΔR。施加恒定电压下，电流变化ΔI与电阻值变化成正比。由此，热引起的电阻变化与电流变化联系起来。
2、Obirch技术的失效分析原理如下： Obirch技术利用芯片内部的测试点进行测试。这些测试点通常是芯片设计师在设计芯片时留下的，用于测试芯片的电路和信号。 Obirch技术利用测试点将芯片连接到测试设备上。测试设备会向芯片内部注入电流或电压信号，并测量芯片内部的响应信号。
3、EMMI（Emission Microscope）原理在于使用高增益相机或探测器捕捉半导体器件缺陷或失效时释放的微量光子。当给样品施加适当电压，缺陷点因加速载流子散射或电子-空穴对复合而释放特定波长的光子。收集并处理这些光子后，形成信号图。撤去电压，收集背景图，信号图与背景图叠加可定位发光点，实现失效点定位。
4、其原理是：给IC施加电压，使其内部产生微小电流，同时在芯片表面用激光进行扫描。激光扫描时监测微小电流，当激光扫描至某个位置电流发生显著变化时，设备标记该位置为失效点。OBIRCH与美国同期发明的TIVA具有相似原理，都通过激光扫描并监测电压变化，来定位IC内部阻抗变化的失效点。
5、Obirch则采用激光扫描，通过金属互联线的温度变化来识别缺陷。缺陷阻止热量迅速散开，导致热点区域，进而通过电信号变化确定位置。此方法适用于各种类型的问题，如漏电、封装器件的异常等。尽管两者都是定位失效点的工具，但它们的侧重不同：EMMI依赖于光子产生和检测，而Obirch依赖于热能传导和电信号变化。
6、设备功能主要检测芯片内部的金属短路、接触异常、漏电等缺陷，并在面板显示领域中，常用于IC异常、bonding异常、TRX short、GOA short、AA区short、FPC short等检测分析。设备参数则具体说明设备的工作原理、性能指标以及适用范围等细节。