急!!!谁知道硅片化学机械抛光工艺流程??
1、单晶生长→切断→外径滚磨→平边或V型槽处理→切片→倒角→研磨→腐蚀--抛光→清洗→包装 切断： 目的：切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。
2、抛光的方式：粗抛：主要作用去除损伤层，一般去除量约在10－20um；精抛：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下 主要原料：抛光液由具有SiO2的微细悬硅酸胶及NaOH（或KOH或NH4OH）组成，分为粗抛浆和精抛浆。
1、单晶生长→切断→外径滚磨→平边或V型槽处理→切片→倒角→研磨→腐蚀--抛光→清洗→包装 切断： 目的：切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。
2、抛光的方式：粗抛：主要作用去除损伤层，一般去除量约在10－20um；精抛：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下 主要原料：抛光液由具有SiO2的微细悬硅酸胶及NaOH（或KOH或NH4OH）组成，分为粗抛浆和精抛浆。
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