晶圆减薄工艺小结-机械背面研磨和抛光工艺及设备
1、如果不对晶圆进行双面抛光工艺，在多晶硅背封等处理之后，由于颗粒容易在粗糙面吸附，而常规的晶圆清洗工艺不易去除这类吸附的颗粒缺陷，颗粒会在晶圆的背面滞留。这些残留的颗粒会对后续工艺造成影响，进而影响芯片的良率。因此，晶圆的背面需要形成无损伤的抛光面。
2、这一工艺过程称之为晶片背面减薄工艺，对应装备就是晶片减薄机，在减薄过程中，上海平面减薄机多少钱一台，晶圆由于表面中间和边缘的厚度不一致，在去除其中间厚度的时候会因为其强度不同，导致破裂，吸盘无法吸附，直接掉落工作台，变得碎裂，清理麻烦。